不是所有器件都需做替代测试,比如电阻、电容、电感肯定不需做替代测试。
对于已经批量发货的整机产品,更换的新器件需做替代测试,包括同一器件换生产工艺、同一器件换生产工厂等,而不仅是大家通常意义上理解的新厂家、新规格型号器件。
只针对高速信号、关键器件做替代测试,比如:基带芯片 / 射频功放 / DDR / DDR2 / DDR3 / EMCP / FLASH / 电源芯片 / 晶振。
这些器件对信号质量、时序、环境应力比较敏感,一旦此类器件出问题,整机就会出现严重的功能性问题。
电源器件包括LDO,DC-DC芯片及电源模块。 为对兼容替代测试结果进行评价及比较,需测试变更前单板上电时序,电源电压及纹波,环境适应性及相关EMC指标,目的在于与替换后的指标进行比较,排除测试环境的影响
1.判断标准:
与替代前的测试结果进行对比。电源上电时序单调,没有振荡现象。过冲电压小于使用此电源的芯片极限电压值。2.不断了解客户的需求,给客户在售前,售中,售后的良好体验。
2.测试描述:
使用示波器测试单板上电波形及过冲电压,观察是否有不单调,振荡等现象。对于多电源供电并且上电时序有要求的芯片,需要测试多电源间上电时序。
1.判断标准:
与替代前的测试结果进行对比,输出电压精度满足±5%要求,有特殊要求的单板按照芯片规格书要求执行。
2.测试描述:
设置单板在大负载状态下,使用万用表测量电源器件输出的电源电压。
1.判断标准:
测试指标与替代前的测试结果进行对比,指标符合要求。一般情况下,电源纹波不大于额定输出值的1%+20mV,芯片手册有要求的,依据芯片手册要求。
2.测试描述:
测试大及*小负载下的电源纹波。
1.判断标准:
波形过冲和稳定性满足电源芯片Datasheet要求。
2.测试描述:
在大负载下使用示波器测试SW开关波形。
1.判断标准:
满足芯片规格书要求和产品规格要求。与替换前的测试指标进行对比,指标没有下降。
2.测试描述:
在大负载下用测温仪测试芯片表面的温度,如产品有短路温升要求,还需要测试输出短路时的芯片表面温度。
1.判断标准:
执行测试期间,单板工作正常。
2.测试描述:
反复开关机20次以上,关机时间1秒,开机时间5分钟左右。
1.判断标准:
满足产品规格要求。与替换前的测试指标进行对比,指标没有下降。
2.测试描述:
分别在待机以及大负载下测试输入电压、电流和输出电压、电流,计算出相应的效率
1.判断标准:
满足产品规格要求,芯片本身无损坏。
2.测试描述:
分别在输入过压、欠压的情况下测试芯片能否起到保护作用,芯片本身是否损坏。
1.判断标准:
满足产品规格要求,芯片本身无损坏。
2.测试描述:
分别在输出过流、短路的情况下测试芯片能否起到保护作用,芯片本身是否损坏。
1.判断标准:
与替代前的测试结果进行对比,指标应符合设计要求。
2.测试描述:
在EMC实验室,单板处于正常工作状态,测试相应的EMC指标。开关噪声可能会对单板的辐射发射及传导发射有影响,根据单板具体情况决定是否测试。
1.判断标准:
测试期间,单板能够正常工作。
2.测试描述:
按照环境测试要求做试验。对于DC-DC及电源模块,环境温度可能会对电源输出指标产生影响。
1.判断标准:
测试期间,满足产品规格要求。
2.测试描述:
评估芯片单体时,可增加大输入电压、大输出电流、电压调整率、负载调整率等测试。
适用于ROM、RAM、FLASH、DDR等存储器的兼容替代测试,信号级测试重点关注存储器发出的信号,存储器接收信号视实际情况可选择测试。
1.判断标准:
满足芯片手册电源指标的精度要求。
2.测试描述:
常温常压环境,在单板上电后正常运行的情况下,用万用表测试存储器VDDQ和VREF电源精度;测试点为靠近存储器端。
1.判断标准:
满足芯片手册电源指标的纹波要求。
2.测试描述:
测试存储器VDDQ和VREF电源纹波。
1.判断标准:
满足芯片手册电源指标的纹波要求。
2.测试描述:
测试时钟信号的幅度、高电平、低电平和过冲。
1.判断标准:
满足芯片手册电源指标的纹波要求。
2.测试描述:
常温常压环境,在单板上电后正常运行的情况下,测试时钟信号的频率(或周期,优先测频率)—F(or T)、上升时间—tr、下降时间—tf、 频率准确度—Frequency Accuracy、占空比—Duty Cycle、高电平宽度—Thigh、低电平宽度—Tlow。
1.判断标准:
满足芯片手册时钟信号单调性要求。
2.测试描述:
常温常压环境,在单板上电后正常运行的情况下,测试时钟信号的单调性。
1.判断标准:
满足芯片手册时钟抖动的要求。
2.测试描述:
测试输入时钟抖动指标。
1.判断标准:
满足芯片手册地址和控制信号完整性指标要求。
2.测试描述:
常温常压环境,在单板上电后正常运行的情况下测试地址和控制信号完整性,至少包括幅度、过冲、上升/下降斜率,具体测试项目参见芯片手册要求。
1.判断标准:
满足芯片手册地址和控制信号时序指标要求。
2.测试描述:
常温常压环境,在单板上电后正常运行的情况下,测试地址和控制信号的时序指标,包括建立时间和保持时间。
1.判断标准:
满足芯片手册数据写信号完整性指标要求。
2.测试描述:
常温常压环境,在单板上电后正常运行的情况下,测试数据读,写信号完整性,读写时序,至少包括幅度、过冲、上升/下降斜率,建立保持时间,具体测试项目参见芯片手册要求。
1.判断标准:
执行测试期间,单板工作正常。
2.测试描述:
反复开关机100次以上,关机时间1秒,开机时间5分钟左右。
1.判断标准:
满足芯片规格和产品规格要求。
2.测试描述:
通过软件擦写程序反复对FLASH芯片进行擦写,直到擦写出错。
1.判断标准:
环境测试期间单板能正常运行,丢包率符合单板规格书要求。
2.测试描述:
根据具体单板的规格要求,跑流量,在低温和高温环境下,连续运行24-48小时,记录测试结果。