Flash 器件性能测试 眼图测试 抖动测试 时序测试 电源纹波测试 Flash存储器属,内存器件的一种,是一种非易失性( Non-Volatile )内存。 随着社会的发展,科技的进步,信息技术的飞速发展,计算机的普及,软件产品已经应用到社会的各个行业领域,加上网络的发展,信息的共享性等,人们对计算机及网络的依赖性越来越大。软件产品的使用者对高质量、高效率的工作方式的要求越来越高,因此对于工作和生活中息息相关的IT系统服务,他们也要求提供更快、更高效的服务品质。因此性能测试有着非常重要的意义。 flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5ms,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作*多只需要4ms。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。 ● NOR的读速度比NAND稍快一些。 ● NAND的写入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5ms快。 ● 大多数写入操作需要行擦除操作。 ● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。 Flash 器件性能测试 眼图测试 抖动测试 时序测试 电源纹波测试 北京淼森波信息技术有限公司主要提供高速电路测试服务和仪器仪表租售业务。 高速电路测试服务项目有:① SI信号完整性测试,主要内容是电源上电时序、复位、时钟、I2C、SPI、Flash、DDR、JTAG接口、CPLD接口测试、URAT测试、网口测试、USB2.0/USB3.0测试、MIPI测试、HDMI测试、及板卡上其它芯片接口的信号测试。② PI电源完整性测试,主要内容是电源的电压值(精度)、电源噪声/纹波、电压上下波形、测量缓启动电路参数、电源电流和冲击电流、电源告警信号、冗余电源的均流参数。③ 接口一致性测试,主要有以太网、USB2.0、USB3.0、MIPI、HDMI、SATA、Display Port、PCIE。
更新时间:2024/4/25 16:22:54 标签:Flash 器件性能测试 眼图测试 抖动测试 时序测试 电源纹波测试 |