NANDFlash 器件性能测试 眼图测试 抖动测试 时序测试 电源纹波测试
NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在存储单元(memory cell)，一般来说，一个单元中只能存储一个bit。这些单元以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成页(page)，以所用的samsumg的256M x 8 Bit K9F2G08R0A芯片为例：每页2112Bytes(2kbyte(Main Area)+64byte(Spare Area))，空闲区通常被用于ECC、耗损均衡(wear leveling)和其它软件开销功能，尽管它在物理上与其它页并没有区别。每64个页形成一个块(block 128kB)。具体一片flash上有多少个块视需要所定。 NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：
Column Address：Starting Address of the Register. 翻成中文为列地址，地址的低8位
Page Address ：页地址
Block Address ：块地址
对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。 北京淼森波信息技术有限公司主要提供高速电路测试服务和仪器仪表租售业务。 高速电路测试服务项目有：① SI信号完整性测试，主要内容是电源上电时序、复位、时钟、I2C、SPI、Flash、DDR、JTAG接口、CPLD接口测试、URAT测试、网口测试、USB2.0/USB3.0测试、MIPI测试、HDMI测试、及板卡上其它芯片接口的信号测试。② PI电源完整性测试，主要内容是电源的电压值（精度）、电源噪声/纹波、电压上下波形、测量缓启动电路参数、电源电流和冲击电流、电源告警信号、冗余电源的均流参数。③ 接口一致性测试，主要有以太网、USB2.0、USB3.0、MIPI、HDMI、SATA、Display Port、PCIE。
 更新时间：2024/4/25 16:22:54
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